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芯片划片工艺的生产流程 ,发明细密划片机的主要性!

泉源: 国产划片机 宣布时间:2023-04-10

芯片划片工艺的生产流程 ,辅和研究发明细密划片机的主要性:质料制备、晶体生长和晶圆制备、晶圆制造和分选、晶圆制造和分选、封装、终测 。

在第一个阶段 ,质料制备是半导体质料的开采并凭证半导体标准举行提纯硅以沙子为质料 ,通过转化可成为具有多晶硅结构的纯净硅;在第二个阶段 ,质料首先形成带有特殊电子和结构参数的晶体 。之后 ,在晶体生长和晶圆制备工艺中 ,晶体被切割成称为晶圆(wafer)的薄片 ,并举行外貌处置惩罚 ,另外半导体工业也用锗和差别半导体质料的混淆物来制作器件与电路;第三个阶段是晶圆制造 , 在每个晶圆上通 ?尚纬200~300个同样的器件 ,也可多至几千个 。在晶圆上由分立器件或集成电占有的区域称为芯片 。晶圆制造也可称为制造、Fab芯片制造或是微芯片制造 。晶圆的制造有几千个办法 ,它们可分为两个主要部分:前端工艺线(FEOL) ,是晶体管和其他器件在晶圆表上形成的;后端工艺线(BEOL) ,是以金属线把器件连在一起并加一层最终;げ 。

遵照晶圆制造历程 ,晶圆上的芯片已经完成 ,可是仍然坚持晶圆形式并未经测试 。下一步每个芯片都需要举行电测(称为晶圆电测)来检测是否切合客户的要求 。晶圆电测是晶制造的最后一步或者封装(packaging)的第一步 。

制造芯片的光刻机 ,其精度决议了芯片性能的上限 。我们国家在“十二五”科技成绩展览上 ,中国生产的最好的光刻机 ,加工精度是90纳米 。这相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准 。而外洋已经做到了十几纳米 。

光刻机里有两个同步运动的工件台 ,一个载底片 ,一个载胶片 。两者需始终同步 ,误差在2纳米以下 。两个事情台由静到动 ,加速率跟导弹发射差未几 。在事情时 ,相当于两架大飞机从腾飞到下降 ,始终齐头并进一架飞机上伸出一把刀 ,在另一架飞机的米粒上刻字 ,不可刻坏了 。

在封装区域内来自外界情形的最致命危害是静电 。在晶圆生产的净化间内 ,对静电的控制主要是避免颗粒物被吸附到晶圆的外貌 。

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